РАДИОЭЛЕКТРОННАЯ ОТРАСЛЬ: ПРОБЛЕМЫ И ИХ РЕШЕНИЯ 4-2023

РАДИОЭЛЕКТРОННАЯ ОТРАСЛЬ: ПРОБЛЕМЫ И ИХ РЕШЕНИЯ 4-2023

Аннотация

Скачать журнал

О НЕКОТОРЫХ ПОДХОДАХ К ВОПРОСУ СТАНДАРТИЗАЦИИ АВТОЭЛЕКТРОНИКИ ОТЕЧЕСТВЕННОГО ПРОИЗВОДСТВА ДЛЯ АВТОМОБИЛЬНОЙ ПРОМЫШЛЕННОСТИ

ABOUT SOME APPROACHES TO THE ISSUE OF STANDARDIZATION OF AUTOMOTIVE ELECTRONICS OF DOMESTIC PRODUCTION FOR THE AUTOMOTIVE INDUSTRY


Зажигалкин А.В., д. э. н., Булгаков О.Ю., к. воен. н., Подъяпольский С.Б., к. т. н., ФГБУ «ВНИИР»; +7 985-725-73-68, psb@vniir-m.ru Zazhigalkin A.V., Doctor of Economics, Bulgakov O.Yu., Ph.D. of military sciences, Podyapolsky S.B., Candidate of Technical Sciences, S.N.S., FSBI "VNIIR"; +7 985-725-73-68, psb@vniir-m.ru


Аннотация. В представленном материале раскрываются проблемные вопросы необходимости разработки, отсутствующих актуализированных комплексов национальных стандартов, на основании которых должна функционировать и развиваться отечественная автоэлектроника. Определены направления для достижения целей стандартизации автоэлектроники. Достижение указанной цели и целевых значений показателей развития автоэлектроники будет обеспечено за счет комплексного решения задач по ключевым направлениям развития национальных стандартов. Показаны пути достижения целей по переводу иностранных стандартов и их адаптации, переработки в виде национальных стандартов, а также методы, способы организации и проведения подтверждения соответствия установленным техническим требованиям ЭКБ для автоэлектроники, на базе существующих испытательных лабораторий (центров).

Annotation. The presented material reveals the problematic issues of the need for the development of missing updated sets of national standards, on the basis of which the domestic automotive electronics should function and develop. The directions for achieving the goals of standardization of automotive electronics are determined. The achievement of this goal and the target values of the indicators of the development of automotive electronics will be ensured through a comprehensive solution of tasks in key areas of the development of national standards. The ways of achieving the goals of translation of foreign standards and their adaptation, processing in the form of national standards, as well as methods, methods of organizing and conducting confirmation of compliance with the established technical requirements of ECB for automotive electronics, on the basis of existing testing laboratories (centers) are shown.


Ключевые слова: автоэлектроника, автомобильная электроника, электронные системы и устройства в автомобильной технике, стандарты для автомобильной электроники

Keywords: automotive electronics, automotive electronics, electronic systems and devices in automotive technology, standards for automotive electronics



ДИАГНОСТИКА ДЕФЕКТОВ ТРУБЧАТЫХ КЕРАМИЧЕСКИХ КОНДЕНСАТОРОВ

DIAGNOSTICS OF DEFECTS IN TUBULAR CERAMIC CAPACITORS


Голубков В.А., к. т. н., доцент, Мельников С.Ю., к. т. н., доцент, Федоренко А.Г. к. т. н., доцент, СПбГУАП; Зотов Н.А., ЗАО «РЕОМ», +79213279688, nzotov@reom.ru Golubkov V.A., Candidate of Technical Sciences, Associate Professor, Melnikov S.Yu., Candidate of Technical Sciences, Associate Professor, Fedorenko A.G. Candidate of Technical Sciences, Associate Professor, SPbSUAP; Zotov N.A., CJSC "REOM", +79213279688, nzotov@reom.ru


Аннотация. Авторы исследуют случаи отказов трубчатых проходных керамических конденсаторов из-за наличия скрытых дефектов керамики и предлагают аппаратный метод объективного контроля, основанный на сравнении амплитудно-частотных характеристик заведомо годного керамического конденсатора и тестируемого с индикацией неисправности и отбраковкой.

Annotation. The authors investigate cases of failures of tubular flow-through ceramic capacitors due to the presence of hidden ceramic defects and propose a hardware method of objective control based on a comparison of the amplitude-frequency characteristics of a known ceramic capacitor and a tested one with a malfunction indication and rejection.


Ключевые слова: диагностика, проходной конденсатор, керамика, вибровоздействие, анализ АЧХ, индикация брака

Keywords: diagnostics, flow capacitor, ceramics, vibration response, frequency response analysis, indication of defects



СИНТЕЗ МНОГОЭЛЕМЕНТНЫХ ФИКСИРОВАННЫХ ФАЗОВРАЩАТЕЛЕЙ В МИКРОПОЛОСКОВОМ ИСПОЛНЕНИИ

SYNTHESIS OF MULTI-ELEMENT FIXED PHASE SHIFTERS IN MICROSTRIP DESIGN


Мещанов В. П., д.т.н., профессор, Саяпин К.А., к.т.н., ООО "НПП "НИКА-СВЧ"; +7 (927) 277-27-26. Семенчук В.В., ФГБУ «ВНИИР»; +7 (495) 586-17-21 (доб. 1260), vniir@vniir-m.ru. Meshchanov V. P., Doctor of Technical Sciences, Professor, Sayapin K.A., Candidate of Technical Sciences, NPP NIKA-Microwave LLC; +7 (927) 277-27-26. Semenchuk V.V., FSBI "VNIIR"; +7 (495) 586-17-21 (ext. 1260), vniir@vniir-m.ru.


Аннотация. В данной статье рассматриваются вопросы синтеза широкополосных фиксированных фазовращателей (далее - ФФ) с предельно-достижимыми фазочастотными и амплитудно-частотными характеристиками (далее - ФЧХ и АЧХ) на основе внедрения и исследования новых структур электрических цепей (далее - СЭЦ), содержащих несогласованные нагрузки в виде коротко замкнутых шлейфов (далее – КЗШ).

Annotation. This article discusses the issues of synthesis of broadband fixed phase shifters (hereinafter - FF) with extremely achievable phase-frequency and amplitude-frequency characteristics (hereinafter - frequency response and frequency response) based on the introduction and research of new structures of electrical circuits (hereinafter - SEC) containing inconsistent loads in the form of short-closed loops (hereinafter – KZSH).


Ключевые слова: фиксированный фазовращатель, фазочастотные и амплитудно-частотные характеристики, несогласованные нагрузки, связанные и несвязанные линии передачи, Т- и квази-Т-волны, опорный канал, фазосдвигающий канал

Keywords: fixed phase shifter, phase-frequency and amplitude-frequency characteristics, inconsistent loads, connected and unrelated transmission lines, T- and quasi-T-waves, reference channel, phase-shifting channel



РОЛЬ И МЕСТО МЕТРОЛОГИЧЕСКОГО ОБЕСПЕЧЕНИЯ В ПОВЫШЕНИИ КАЧЕСТВА И ЭФФЕКТИВНОСТИ В СОВРЕМЕННЫХ ЭКОНОМИЧЕСКИХ УСЛОВИЯХ

THE ROLE AND PLACE OF METROLOGICAL SUPPORT IN IMPROVING QUALITY AND EFFICIENCY IN MODERN ECONOMIC CONDITIONS


Быканов В. В., к.т.н., с.н.с., Есакова М. М., Тупицина А. В., ФГБУ «ВНИИР», +7 (903) 774-25-07, sertifbv@yandex.ru Bykanov V. V., Ph. D. of engineering sciences, Senior Researcher Officer, Esakova M. M., Tupitsina A. V., FSBI «VNIIR», +7 (903) 774-25-07, sertifbv@yandex.ru


Аннотация. В настоящее время метрологи и разработчики изделий ЭКБ сталкиваются с неоднозначностью в вопросах повышения качества разработок посредством метрологического обеспечения. В статье проведен анализ состояния проблемы и рассмотрена система, изъятие из которой какого-нибудь звена приводит к получению недостоверной информации и, соответственно, к значительным экономическим потерям и принятию ошибочных решений.

Annotation. At present metrologists and developers of ECB products face ambiguity in the issues of improving the quality of development through metrological support. The article analyzes the state of the problem and considers the system, the removal of any link from which leads to unreliable information and, consequently, to significant economic losses and erroneous decisions.


Ключевые слова: метрологическое обеспечение, метрологическая экспертиза, техническая документация, радиоэлектронная аппаратура, методики измерений, электронная компонентная база, качество, эффективность, метрологическая аттестация, измерение

Keywords: metrological support, metrological expertise, technical documentation, radio electronic equipment, measurement techniques, electronic component base, quality, efficiency, metrological certification, measurement



ВОЗДЕЙСТВИЕ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА ПАРАМЕТРЫ МИКРОСХЕМЫ СТАБИЛИЗАТОРА НАПРЯЖЕНИЯ ОТРИЦАТЕЛЬНОЙ ПОЛЯРНОСТИ

IONIZING RADIATION ACTION ON PARAMETERS OF THE CHIP OF THE VOLTAGE REGULATOR OF THE NEGATIVE POLARITY


Богатырев Ю.В., д.т.н., г.н.с., Ластовский С.Б., к.ф.-м.н., заведующий лабораторией, Огородников Д.А., м.н.с., ГО «НПЦ НАН Беларуси по материаловедению», Божаткин В.А., ведущий инженер, Зайцев В.Б., ведущий конструктор, Шпаковский С.В., начальник отделения, Филиал НТЦ «Белмикросистемы» ОАО «ИНТЕГРАЛ» - управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ»


Аннотация. Представлены результаты экспериментальных исследований влияния гамма-излучения Со60 на параметры микросхемы IL137 линейного регулируемого стабилизатора напряжения отрицательной полярности. Микросхемы IL137 предназначены для создания опорного напряжения Uоп значением минус 1,25 В и с помощью внешнего резистивного делителя – регулируемого выходного напряжения от минус 1,25 В до минус 31,25 В. Разработаны конструктивно-технологические решения реализации радиационностойкого стабилизатора напряжения: использование вертикальных изолированных pnp-транзисторов (вместо горизонтальных pnp транзисторов); использование сильнолегированных разделительных областей р+ типа между элементами и др. Получена устойчивая по накопленной дозе с уровнем не менее 100 крад (Si) конструкция регулируемого стабилизатора напряжения. Достаточно высокая радиационная стойкость микросхем IL137 позволяет рекомендовать их для использования в космической аппаратуре.

Annotation. The results of experimental studies of the effect of gamma radiation Co60 on the parameters of the IL137 chip of a linear adjustable voltage stabilizer of negative polarity are presented. The IL137 chips are designed to create a reference voltage Uоп with a value of minus 1,25 V and with the help of an external resistive divider – an adjustable output voltage from minus 1,25 V to minus 31,25 V. Constructive and technological solutions for the implementation of a radiation-resistant voltage stabilizer have been developed: the use of vertical isolated pnp transistors (instead of horizontal pnp transistors); the use of heavily alloyed p+ type separation areas between elements, etc. The design of an adjustable voltage stabilizer, stable in terms of accumulated dose with a level of at least 100 krad (Si), was obtained. Sufficiently high radiation resistance of IL137 chips allows us to recommend them for use in space equipment.


Ключевые слова: гамма-излучение, микросхема, регулируемый стабилизатор напряжения, радиационная стойкость

Keywords: gamma radiation, chip, adjustable voltage regulator, radiation resistance



ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ КОНСТРУКТИВНЫХ ФАКТОРОВ ЛОГИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ НА ИХ ФУНКЦИОНИРОВАНИЕ ДЛЯ ПЕРСПЕКТИВНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ ОПТИЧЕСКИХ МИКРОСИСТЕМ

STUDY OF THE INFLUENCE OF DESIGN FACTORS OF LOGIC ELEMENTS ON THEIR FUNCTIONING FOR PROMISING INTEGRATED OPTICAL MICROSYSTEMS


Амеличев В.В., к. т. н., Кадочкин А.С., к. ф. -м. н., Генералов С.С., Горелов Д.В., НПК «Технологический центр»; +7 (499) 720-87-79; V.Amelichev@tcen.ru Amelichev V.V., Ph. D., Kadochkin A.S., Ph. D., Generalov S.S., Gorelov D.V., SMC «Technological Centre»; +7 (499) 720-87-79; V.Amelichev@tcen.ru


Аннотация. Логические элементы являются важными компонентами интегрально-оптических систем. Проведено исследование оптического логического элемента «исключающего ИЛИ» (XOR) на двухмерном фотонном кристалле. Выполнена оценка оптических свойств фотонно-кристаллической структуры от геометрических параметров (высоты) наностолбиков. В дальнейшем создание и оптимизация логических элементов на двухмерно-периодических структурах имеет потенциальное применение в области обработки оптических сигналов и интегральных оптических микросистем.

Annotation. Logic elements are important components of integral optical systems. A study of the optical logic element «excluding OR» (XOR) on a two-dimensional photonic crystal has been carried out. The optical properties of the photonic crystal structure are estimated from the geometric parameters (height) of the nanostructures. In the future, the creation and optimization of logic elements on two-dimensional periodic structures has potential applications in the field of optical signal processing and integrated optical microsystems.


Ключевые слова: фотонный кристалл, логический элемент, интегральная оптическая микросистем, фотонная интегральная схема, дифракция

Keywords: photonic crystal, logic element, integrated optical microsystems, photon integrated circuit, diffraction



ПРИМЕНЕНИЕ СКАНИРУЮЩЕЙ ЭЛЕКТРОННОЙ МИКРОСКОПИИ В ЗАДАЧАХ АНАЛИЗА ОТКАЗОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

APPLICATIONS OF SCANNING ELECTRON MICROSCOPY IN SEMICONDUCTOR DEVICES FAILURE ANALYSIS


Бондаренко А.С., к. ф.-м. н., Аскерко А.Н., АО «КБ «Ракета»; bond.anton@gmail.com; aan@kbrocket.ru, +7 (812) 409-90-40 Bondarenko A.S., PhD, Askerko A.N., JSC «DB «Rocket»; bond.anton@gmail.com; aan@kbrocket.ru, +7 (812) 409-90-40


Аннотация. Сканирующая электронная микроскопия (далее – СЭМ) позволяет визуализировать с нанометровым разрешением отдельные элементы интегральной схемы, локализовать дефектные элементы интегральных схем, исследовать электрическую активность дефектов кристаллической структуры в полупроводниках. Целью данной работы является обсуждение возможностей, вызовов и проблем применения сканирующей электронной микроскопии в задачах анализа отказов в полупроводниковых приборах.

Annotation. The scanning electron microscopy (SEM) allows one to visualize discrete ele-ments of integrated circuit with nanometer resolution, localize defect elements of integral circuits, and investigate electrical activity of structural defects of crystal-line semiconductor. This work aims to demonstrate applications and discuss challenges of scanning electron microscopy for the failure analysis of semicon-ductor devices.


Ключевые слова: сканирующая электронная микроскопия, полупроводниковые приборы, анализ отказов, разрушающий физический анализ

Keywords: scanning electron microscopy, semiconductor devices, failure analysis destructive physical analysis



ИССЛЕДОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ РАЗРЯДНЫХ ХАКАРАКТЕРИСТИК ПОЛОЖИТЕЛЬНОГО ОКИСНОНИКЕЛЕВОГО ЭЛЕКТРОДА ОТ СПОСОБА ВНЕСЕНИЯ АКТИВНОЙ МАССЫ В ПОРИСТУЮ ОСНОВУ ЭЛЕКТРОДА

INVESTIGATION OF THE METHOD DEPOSITING ACTIVE MATERIAL INTO THE POROUS ELECTRODE BASE ON DISCHARGE CHARACTERISTICS OF THE POSITIVE NICKEL-OXIDE ELECTRODE


Гагарина А.Ю., Кукушкина О.В., Сашин Д.И., Смирнова Т.Н., к.х.н.; АО «НИАИ» ИСТОЧНИК», +7 (812) 449-28-98, info@niai.ru Gagarina A.Yu., Kukushkina O.V., Sashin D.I., Smirnova T.N., Ph.D. of Chemical Sciences; JSC «NIAI» ISTOCHNIK»; +7 (812) 449-28-98, info@niai.ru


Аннотация. Исследовано влияние способа внесения активного материала в поры металлокерамической основы окисноникелевого положительного электрода никель-кадмиевой электрохимической системы на разрядные характеристики электродов. Осаждение активного материала осуществлялось химическим, вакуумным и электрохимическим методами из насыщенного водного раствора нитрата никеля. Исследование разрядных характеристик поводилось при режимах разряда 0,3Сн, 1Сн, 2Сн и 3Сн в ячейках с одним положительным металлокерамическим и двумя отрицательными кадмиевыми электродами. Было показано, что применение новых подходов позволяет получить положительные электроды со схожими емкостными характеристиками, при этом отмечается, что корреляция между массой активного материала и разрядной емкостью с ростом скорости разряда снижается. Также было установлено, что применение электрохимического метода осаждения позволит получать положительные электроды для разрядов высокими токами, которые необходимы в том числе и для авиационных стартерных аккумуляторных батарей. При этом возникает потенциальная возможность сократить технологический цикл изготовления положительных электродов, обеспечить стабильность их характеристик на стадии изготовления, а также значительно уменьшить энергозатраты на поддержание высоких температур при длительных циклах осаждения и, соответственно, углеродный след производства.

Annotation. The influence of the method of active material incorporation into the pores metal-ceramic base of nickel oxide positive electrode Ni-Cd system on the discharge characteristics is investigated. Deposition of active material is carried out by chemical, vacuum and electrochemical methods from saturated aqueous solution of nickel nitrate. The discharge characteristics are investigated at discharge modes 0,3Cn, 1Cn, 2Cn and 3Cn in cells with one positive metal-ceramic and two negative cadmium electrodes. It is shown the application of new approaches allows obtaining positive electrodes with similar capacitive characteristics, while it is noted that the correlation between the mass of active material and discharge capacitance decreases with increasing discharge rate. It is found that the use of electrochemical deposition method would allow obtaining positive electrodes for discharges with high currents, which are necessary for aviation starter batteries. In this case, there is a potential opportunity to reduce the technological cycle of manufacturing of positive electrodes, to ensure the stability of their characteristics at the manufacturing stage, as well as to significantly reduce energy consumption for maintaining high temperatures during long deposition cycles and the carbon footprint of production.


Ключевые слова: Ni-Cd аккумуляторы, окисноникелевый электрод, химические источники тока, электрохимическое осаждение, вакуумное осаждение, химическое осаждение, химическая технология, оксидно-никелевый электрод, металлокерамические электроды, пористые материалы

Keywords: Ni-Cd batteries, nickel oxide electrode, chemical current sources, electrochemical deposition, vacuum deposition, chemical deposition, chemical technology, metalceramic electrodes, porous materials