«РАДИОЭЛЕКТРОННАЯ ОТРАСЛЬ:
ПРОБЛЕМЫ И ИХ РЕШЕНИЯ»
Московская область, г. Мытищи, ул. Колпакова, д. 2А
+7 (495) 586-17-21, +1356
+7 (495) 055-05-99
Главная
О журнале
Для авторов
Архив
Подписка
Адрес редакции
ФГБУ «ВНИИР»
АНО «Электронсертифика»
Поиск
Найдено: 9
СЕРИЯ МИКРОСХЕМ ЗАЩИТЫ ОТ ВОЗНИКНОВЕНИЯ ТИРИСТОРНОГО ЭФФЕКТА
Страница 21
A SERIES OF THYRISTOR EFFECT PROTECTION INTEGRATED CIRCUITS
Page 21
ВОЗДЕЙСТВИЕ
ИОНИЗИРУЮЩЕГО
ИЗЛУЧЕНИЯ
НА ПАРАМЕТРЫ МИКРОСХЕМЫ СТАБИЛИЗАТОРА НАПРЯЖЕНИЯ ОТРИЦАТЕЛЬНОЙ ПОЛЯРНОСТИ
Страница 25
IONIZING RADIATION ACTION ON PARAMETERS OF THE CHIP OF THE VOLTAGE REGULATOR OF THE NEGATIVE POLARITY
Page 25
Моделирующие и облучательные комплексы и установки ИЦ ФГУП «РФЯЦ-ВНИИЭФ»
Страница 31
Modeling and irradiation complexes and installations of the TC FSUE "RFNC-VNIIEF"
Page 31
ТИПОВЫЕ ПОДХОДЫ К КОНТРОЛЮ И ОЦЕНКЕ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ В ПРОЦЕССЕ КОМПЛЕКТОВАНИЯ РАДИОЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЫ
Страница 9
STANDARD APPROACHES TO CONTROL AND EVALUATE INTEGRATED CIRCUIT’S RADIATION RESISTANCE IN THE PROCESS OF DEVICE MANUFACTURING
Page 9
←
ctrl
предыдущая
следующая
ctrl
→
Страницы:
1
2
