«РАДИОЭЛЕКТРОННАЯ ОТРАСЛЬ:
ПРОБЛЕМЫ И ИХ РЕШЕНИЯ»
Московская область, г. Мытищи, ул. Колпакова, д. 2А
+7 (495) 586-17-21, +1356
+7 (495) 055-05-99
Главная
О журнале
Для авторов
Архив
Подписка
Адрес редакции
ФГБУ «ВНИИР»
АНО «Электронсертифика»
Поиск
Найдено: 11
НАБЛЮДЕНИЕ ФОРМИРОВАНИЯ ПРОТЯЖЕННЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ В СКАНИРУЮЩЕМ ЭЛЕКТРОННОМ МИКРОСКОПЕ В ПРОЦЕССЕ ОТЖИГА IN-SITU
Страница 14
OBSERVATION OF EXTENDED DEFECT FORMATION IN SILICON USING A SCANNING ELECTRON MICROSCOPE DURING IN-SITU ANNEALING
Page 14
Опыт подготовки и проведения испытаний современных интегральных микросхем
Страница 28
Experience of preparing and test performance of modern integrated microcircuit
Page 28
ВОЗДЕЙСТВИЕ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ НА ВАКУУМНЫЕ КОММУТИРУЮЩИЕ УСТРОЙСТВА
Страница 22
INFLUENCE OF IONIZING IRRADIATION FOR VACUUM SWITCHING DEVICES
Page 22
Методы и средства измерения теплового сопротивления полупроводниковых приборов и интегральных схем
Страница 22
Methods and means for measuring the thermal resistance of integrated circuit
Page 22
ЗАДАНИЕ ПАРАМЕТРОВ УСЛОВИЙ ОКРУЖАЮЩЕЙ СРЕДЫ ДЛЯ ПОКАЗАТЕЛЕЙ БЕЗОТКАЗНОСТИ КОРПУСНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИЗДЕЛИЙ
Страница 32
SETTING PARAMETERS OF ENVIRONMENTAL CONDITIONS FOR THE RELIABILITY INDICATORS OF THE CASE SEMICONDUCTOR PRODUCTS
Page 32
←
ctrl
предыдущая
следующая
ctrl
→
Страницы:
1
2
3
