«РАДИОЭЛЕКТРОННАЯ ОТРАСЛЬ:
ПРОБЛЕМЫ И ИХ РЕШЕНИЯ»
Московская область, г. Мытищи, ул. Колпакова, д. 2А
+7 (495) 586-17-21, +1356
+7 (495) 055-05-99
Главная
О журнале
Для авторов
Архив
Подписка
Адрес редакции
ФГБУ «ВНИИР»
АНО «Электронсертифика»
Поиск
Найдено: 2
СОСТОЯНИЕ И ПОТЕНЦИАЛ РАЗВИТИЯ ФОТОННЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ НА ФОСФИДЕ ИНДИЯ, НИОБАТЕ ЛИТИЯ И КРЕМНИИ
Страница 2
STATE AND DEVELOPMENT POTENTIAL OF PHOTONIC INTEGRATED CIRCUITS BASED ON INDIUM PHOSPHIDE, LITHIUM AND SILICON NIOBATE
Page 2
ТИПОВЫЕ ПОДХОДЫ К КОНТРОЛЮ И ОЦЕНКЕ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ В ПРОЦЕССЕ КОМПЛЕКТОВАНИЯ РАДИОЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЫ
Страница 9
STANDARD APPROACHES TO CONTROL AND EVALUATE INTEGRATED CIRCUIT’S RADIATION RESISTANCE IN THE PROCESS OF DEVICE MANUFACTURING
Page 9
