«РАДИОЭЛЕКТРОННАЯ ОТРАСЛЬ:
ПРОБЛЕМЫ И ИХ РЕШЕНИЯ»
Московская область, г. Мытищи, ул. Колпакова, д. 2А
+7 (495) 586-17-21, +1356
+7 (495) 055-05-99
Главная
О журнале
Для авторов
Архив
Подписка
Адрес редакции
ФГБУ «ВНИИР»
АНО «Электронсертифика»
Поиск
Найдено: 19
ПРИМЕНЕНИЕ МАТЕРИАЛОВ НА СТАДИЯХ ИЗГОТОВЛЕНИЯ QFN-КОРПУСОВ ДЛЯ ИЗДЕЛИЙ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ
Страница 8
APPLICATION OF MATERIALS AT THE STAGES OF MANUFACTURING QFN ENCLOSURES FOR MICROELECTRONICS PRODUCTS
Page 8
Исследование
интерметаллидов сварного интерфейса золото-алюминий в полупроводниковых приборах методами сканирующей электронной микроскопии
Страница 11
Investigation of intermetallics at gold-aluminum welded interface in semiconductor devices by analytical scannig electron microscopy
Page 11
ВОЗДЕЙСТВИЕ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА ПАРАМЕТРЫ МИКРОСХЕМЫ СТАБИЛИЗАТОРА НАПРЯЖЕНИЯ ОТРИЦАТЕЛЬНОЙ ПОЛЯРНОСТИ
Страница 25
IONIZING RADIATION ACTION ON PARAMETERS OF THE CHIP OF THE VOLTAGE REGULATOR OF THE NEGATIVE POLARITY
Page 25
ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ, ЭФИР
Страница 15
PHASE TRANSITIONS, ETHER
Page 15
←
ctrl
предыдущая
следующая
ctrl
→
Страницы:
1
2
3
4