«РАДИОЭЛЕКТРОННАЯ ОТРАСЛЬ:
ПРОБЛЕМЫ И ИХ РЕШЕНИЯ»
Московская область, г. Мытищи, ул. Колпакова, д. 2А
+7 (495) 586-17-21, +1356
+7 (495) 055-05-99
Главная
О журнале
Для авторов
Архив
Подписка
Адрес редакции
ФГБУ «ВНИИР»
АНО «Электронсертифика»
Поиск
Найдено: 23
ВОЗДЕЙСТВИЕ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА
ПАРАМЕТРЫ
МИКРОСХЕМЫ СТАБИЛИЗАТОРА НАПРЯЖЕНИЯ ОТРИЦАТЕЛЬНОЙ ПОЛЯРНОСТИ
Страница 25
IONIZING RADIATION ACTION ON PARAMETERS OF THE CHIP OF THE VOLTAGE REGULATOR OF THE NEGATIVE POLARITY
Page 25
РАЗРАБОТКА ВОЛНОВОДНОЙ СТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ ГИБРИДНОЙ ТЕХНОЛОГИИ LiNbO3/Si
Страница 13
DEVELOPMENT OF WAVEGUIDE STRUCTURE BASED ON HYBRID LiNbO3/SiN TECHNOLOGY
Page 13
РАЗРАБОТКА И РЕЗУЛЬТАТЫ ИССЛЕДОВАНИЯ МАТРИЧНОГО КМОП-ФОТОПРИЕМНИКА
Страница 33
DEVELOPMENT AND RESEARCH RESULTS OF A MATRIX CMOS PHOTODETECTOR
Page 33
Унификации маловыводных рамок и использования стандартов МЭК для их применения
Страница 28
Unification of multi-output frames and the use of international standards for their application
Page 28
ПРИМЕНЕНИЕ МАТЕРИАЛОВ НА СТАДИЯХ ИЗГОТОВЛЕНИЯ QFN-КОРПУСОВ ДЛЯ ИЗДЕЛИЙ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ
Страница 8
APPLICATION OF MATERIALS AT THE STAGES OF MANUFACTURING QFN ENCLOSURES FOR MICROELECTRONICS PRODUCTS
Page 8
←
ctrl
предыдущая
следующая
ctrl
→
Страницы:
1
2
3
4
5
