«РАДИОЭЛЕКТРОННАЯ ОТРАСЛЬ:
ПРОБЛЕМЫ И ИХ РЕШЕНИЯ»
Московская область, г. Мытищи, ул. Колпакова, д. 2А
+7 (495) 586-17-21, +1356
+7 (495) 055-05-99
Главная
О журнале
Для авторов
Архив
Подписка
Адрес редакции
ФГБУ «ВНИИР»
АНО «Электронсертифика»
Поиск
Найдено: 8
ПРИМЕНЕНИЕ СКАНИРУЮЩЕЙ ЭЛЕКТРОННОЙ МИКРОСКОПИИ В ЗАДАЧАХ АНАЛИЗА ОТКАЗОВ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ
ПРИБОРОВ
Страница 35
APPLICATIONS OF SCANNING ELECTRON MICROSCOPY IN SEMICONDUCTOR DEVICES FAILURE ANALYSIS
Page 35
Исследование интерметаллидов сварного интерфейса золото-алюминий в
полупроводниковых
приборах
методами сканирующей электронной микроскопии
Страница 11
Investigation of intermetallics at gold-aluminum welded interface in semiconductor devices by analytical scannig electron microscopy
Page 11
ЗАДАНИЕ ПАРАМЕТРОВ УСЛОВИЙ ОКРУЖАЮЩЕЙ СРЕДЫ ДЛЯ ПОКАЗАТЕЛЕЙ БЕЗОТКАЗНОСТИ КОРПУСНЫХ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ
ИЗДЕЛИЙ
Страница 32
SETTING PARAMETERS OF ENVIRONMENTAL CONDITIONS FOR THE RELIABILITY INDICATORS OF THE CASE SEMICONDUCTOR PRODUCTS
Page 32
←
ctrl
предыдущая
следующая
ctrl
→
Страницы:
1
2
