«РАДИОЭЛЕКТРОННАЯ ОТРАСЛЬ:
ПРОБЛЕМЫ И ИХ РЕШЕНИЯ»
Московская область, г. Мытищи, ул. Колпакова, д. 2А
+7 (495) 586-17-21, +1356
+7 (495) 055-05-99
Главная
О журнале
Для авторов
Архив
Подписка
Адрес редакции
ФГБУ «ВНИИР»
АНО «Электронсертифика»
Поиск
Найдено: 7
Исследование интерметаллидов сварного интерфейса золото-алюминий в полупроводниковых приборах методами сканирующей электронной микроскопии
Страница 11
Investigation of intermetallics at gold-aluminum welded interface in semiconductor devices by analytical scannig electron microscopy
Page 11
ПРИМЕНЕНИЕ СКАНИРУЮЩЕЙ ЭЛЕКТРОННОЙ МИКРОСКОПИИ В ЗАДАЧАХ
АНАЛИЗА
ОТКАЗОВ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
Страница 35
APPLICATIONS OF SCANNING ELECTRON MICROSCOPY IN SEMICONDUCTOR DEVICES FAILURE ANALYSIS
Page 35
ПРИМЕНЕНИЕ РЕЖИМА СОБИРАНИЯ ЗАРЯДА В СКАНИРУЮЩЕЙ ЭЛЕКТРОННОЙ МИКРОСКОПИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
Страница 5
APPLICATIONS OF CHARGE COLLECTION SCANNIG ELECTRON MICROSCOPY OF SEMICONDUCTOR DEVICES
Page 5
ДИАГНОСТИКА ДЕФЕКТОВ ТРУБЧАТЫХ КЕРАМИЧЕСКИХ КОНДЕНСАТОРОВ
Страница 14
DIAGNOSTICS OF DEFECTS IN TUBULAR CERAMIC CAPACITORS
Page 14
НАБЛЮДЕНИЕ ФОРМИРОВАНИЯ ПРОТЯЖЕННЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ В СКАНИРУЮЩЕМ ЭЛЕКТРОННОМ МИКРОСКОПЕ В ПРОЦЕССЕ ОТЖИГА IN-SITU
Страница 14
OBSERVATION OF EXTENDED DEFECT FORMATION IN SILICON USING A SCANNING ELECTRON MICROSCOPE DURING IN-SITU ANNEALING
Page 14
←
ctrl
предыдущая
следующая
ctrl
→
Страницы:
1
2
