«РАДИОЭЛЕКТРОННАЯ ОТРАСЛЬ:
ПРОБЛЕМЫ И ИХ РЕШЕНИЯ»
Московская область, г. Мытищи, ул. Колпакова, д. 2А
+7 (495) 586-17-21, +1356
+7 (495) 055-05-99
Главная
О журнале
Для авторов
Архив
Подписка
Адрес редакции
ФГБУ «ВНИИР»
АНО «Электронсертифика»
Поиск
Найдено: 4
УНИВЕРСАЛИЗАЦИЯ МИКРОСХЕМ НИЗКОЙ СТЕПЕНИ ИНТЕГРАЦИИ ПРИ ПЕРЕНОСЕ ИХ ПРОИЗВОДСТВА НА СОВРЕМЕННЫЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ НОРМЫ
Страница 15
UNIVERSALIZATION OF LOW-DEGREE INTEGRATION MICROCIRCUITS WHEN TRANSFERING THEIR PRODUCTION TO MODERN TECHNOLOGICAL STANDARDS
Page 15
ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ КОНСТРУКТИВНЫХ ФАКТОРОВ ЛОГИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ НА ИХ ФУНКЦИОНИРОВАНИЕ ДЛЯ ПЕРСПЕКТИВНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ ОПТИЧЕСКИХ МИКРОСИСТЕМ
Страница 29
STUDY OF THE INFLUENCE OF DESIGN FACTORS OF LOGIC ELEMENTS ON THEIR FUNCTIONING FOR PROMISING INTEGRATED OPTICAL MICROSYSTEMS
Page 29
СОСТОЯНИЕ И ПОТЕНЦИАЛ РАЗВИТИЯ ФОТОННЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ НА ФОСФИДЕ ИНДИЯ, НИОБАТЕ ЛИТИЯ И КРЕМНИИ
Страница 2
STATE AND DEVELOPMENT POTENTIAL OF PHOTONIC INTEGRATED CIRCUITS BASED ON INDIUM PHOSPHIDE, LITHIUM AND SILICON NIOBATE
Page 2
НАБЛЮДЕНИЕ ФОРМИРОВАНИЯ ПРОТЯЖЕННЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ В СКАНИРУЮЩЕМ ЭЛЕКТРОННОМ МИКРОСКОПЕ В ПРОЦЕССЕ ОТЖИГА IN-SITU
Страница 14
OBSERVATION OF EXTENDED DEFECT FORMATION IN SILICON USING A SCANNING ELECTRON MICROSCOPE DURING IN-SITU ANNEALING
Page 14
